SiC（炭化ケイ素)セラミックは、
半導体や太陽光発電製造などにおける重要な部品です。
- SiC（シリコンカーバイド）セラミック製品の専門的な研究開発から、
焼結材生産、加工販売を行っております。 - CIP成形、1000tプレス成形、グラウト成形、真空押出し成形法から、
最適な方法を選択し加工いたします。 - 6つのSiCセラミック焼結生産ラインと、8つのCNC加工機、
6つの精密研削盤を備えており、SiCセラミック焼結製品をご提供します。
SiCセラミック物性値
項目 | 単位 | 無加圧焼結タイプ SSIC | 反応焼結タイプ RBSIC | 再結晶タイプ RSIC |
使用温度位 | ℃ | 1650 | 1350 | 1650 |
| 密度 | g/cm3 | ≥3.1 | ≥3.02 | ≥2.65 |
気孔率 | % | 0 | ≤7 | ≤16 |
硬度 | HV | 2550 | 2400 | 1500 |
| 曲げ強度 | Mpa(20℃） | 350 | 250 | 90 |
Mpa(1200℃） | ≥99.3 | ≥86.5 | ≥99.0 | |
SiC含量 | % | 0 | ≤12 | 0 |
SiCセラミックの製品紹介
SiCカンチレバー
1500~4500mmから長さを選択いただき、お客様のご要望に合わせたカスタマイズが可能です。
製品表面の金属不純物の揮発を抑制するためのCVD コーティング処理も可能です。（サイズや詳細はお問合せください）
エッチングトレイ
SiCエッチングトレイは、SiCキャリアトレイとも呼ばれます。
SiCキャリアトレイの熱膨張係数は、シリコンの熱膨張係数と一致しています。
軽量性、高い熱伝導率、耐摩耗性、耐酸性、耐アルカリ性などの点で、
グラファイト系や石英系のキャリアディスクよりも優れます。
SiCウェハボート
SiCボートは、N型TOPConプロセスの太陽電池拡散工程に使用されています。
高精度で安全性と信頼性が高く、かつ長寿命です。
石英ボートから完全に置き換えることが可能です。
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SiCパイプ（丸、角）
SiC丸管および角管は、
最大長さ4500mmまで可能で、曲げ強度が高いのが特徴です。
トラックキルン、シャトルキルン、トンネルキルン、太陽拡散炉、その他工業炉に適しています。
SiCボートトレーラー
SiCボートトレーラーは、 N型TOPConプロセスの太陽電池拡散工程に使用されており、高精度で安全性が高いです。
SiCウェハボート
1SiCウェハボートは、高温焼結後に、酸洗および精製プロセスを行い、SiCウェハボートの金属不純物を大幅に減少させ、SiC含有量が99.96%以上に高めることができます。
お客様のご要望で、CVDコーティング処理も可能です。
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SiC炉管
4インチから6インチまでの半導体ウェハ業界向けに、安定し信頼性の高いSiCウェハボート、SiC炉チューブを製造しております。
純度は99.9%に達しウェハを汚染しません。
SiC構造部品
マイクロチャネルリアクター業界向けにSiCプレート、
半導体業界向けにSiCフィンガー等を製造しております。
また、ご希望のカスタマイズ部品の開発サービスもお承ります。
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SiCスケルトン
フォトリソグラフィ装置用
SiCスケルトン
チャック
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SiCライニング
ご希望に応じて高純度のSiCライニングの開発およびカスタマイズを承ります。SiCライニングの直径は最大1100mmであり、材料を汚染しません。
SiCライニング
直径1100mmのSiCライニング