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電力・電子 ／ 高性能材料
高温環境下や高電流による温度上昇への耐性が必要なバッテリーや電源などの動力源にはレアメタルが使用されています。
新幹線や電気自動車の部品にも多くのレアメタルが使用されています。
製品一例
ヒートシンク/コネクタ/ターゲット/ブレーカー など
高性能材料
材料の精製・調合・インゴット製造から、圧延や鍛造を行い、粗～精密加工まで一貫で行っている為、オーダーメイドでの性能・純度の調整が可能です。
電子封止材＆ヒートシンク
パワーエレクトロニクスと集積回路は、動作時に大量の熱を発生します。ヒートシンク材料は、チップの熱を排除し他の媒体に移し、チップの安定動作を保つのに役立ちます。
モリブデン銅、タングステン銅、またそれらの改良材料は、モリブデン、タングステンの低熱膨張率および銅の熱伝導性と組み合わされて、電子デバイスの熱を効果的に放出し、IGBTモジュール、RFパワーアンプ、LEDチップなどの冷却に貢献します。
したがって、これらは金属基板、熱制御および断熱コンポーネント（ヒートシンク材料）、および大規模集積回路および高出力マイクロ波デバイスのリードフレームとして適用されます。
WCu、MoCuの他にも特注材質にて完成品と半完成品をご提供できます。また、Ni、NiAu、NiAgでコーティングされた製品も提供できます。
モリブデン銅、タングステン銅、またそれらの改良材料は、モリブデン、タングステンの低熱膨張率および銅の熱伝導性と組み合わされて、電子デバイスの熱を効果的に放出し、IGBTモジュール、RFパワーアンプ、LEDチップなどの冷却に貢献します。
したがって、これらは金属基板、熱制御および断熱コンポーネント（ヒートシンク材料）、および大規模集積回路および高出力マイクロ波デバイスのリードフレームとして適用されます。
WCu、MoCuの他にも特注材質にて完成品と半完成品をご提供できます。また、Ni、NiAu、NiAgでコーティングされた製品も提供できます。
銅タングステン合金
電子パッケージ材料は、タングステンの低い膨張と、銅の高い熱伝導率の両方を備えています。強く特色があるのは、その熱膨張係数と熱伝導率を材料の組成によって調整し、用途にあわせて設計できることです。高純度の良質な原料を使用し、成形、焼結、高温浸透により、高性能のW-Cu電子パッケージ材やヒートシンク材を製造しています。リードフレーム、熱制御ボードやヒートシンクなどの軍用および民間用の熱制御装置など、基板や電極などの高出力デバイスのパッケージの材料に適しています。
利点として、低い熱膨張係数、高い熱伝導率、優れた高温安定性、均一性、優れた加工特性が挙げられます。
利点として、低い熱膨張係数、高い熱伝導率、優れた高温安定性、均一性、優れた加工特性が挙げられます。
代表的な銅タングステン合金の成分表 Typical WCu alloy properties
| 材質 | 成分(wt%) | 密度 g/㎤ | 熱膨張係数 10⁻⁶/K | 熱伝導率 W/M・K | |
| Cu | W | ||||
| W94Cu6 | 6±1 | Balance | 17.6 | 6.0 | 140-160 |
| W90Cu10 | 10±1 | Balance | 17.0 | 6.5 | 180-190 |
| W85Cu15 | 15±1 | Balance | 16.4 | 7.0 | 190-200 |
| W80Cu20 | 20±1 | Balance | 15.6 | 8.3 | 200-210 |
| W75Cu25 | 30±1 | Balance | 14.8 | 9.0 | 220-230 |
| W50Cu50 | 50±1 | Balance | 12.0 | 12.5 | 310-340 |
表面：Ni、NiAu、NiAg、NiCuメッキ、またはメッキ処理無し6.5
銅モリブデン合金
MoCu合金は、 モリブデンと銅の両方の特性で構成されており、熱伝導率が高く、調整熱膨張係数が低く、非磁性で、ガス含有量が少なく、耐真空性が高く、被削性が高く、耐熱性が高いといった特徴があります。
WCu合金と比較して、MoCu合金は密度が低く、プレス加工が容易です。 MoCuは大量生産に適しています。
WCu合金と比較して、MoCu合金は密度が低く、プレス加工が容易です。 MoCuは大量生産に適しています。
代表的な銅モリブデン合金の成分表 Typical MoCu alloy properties
| 材質 | 成分(wt%) | 密度 g/㎤ | 熱膨張係数 10⁻⁶/K | 熱伝導率 W/M・K | |
| Cu | Mo | ||||
| Mo90Cu10 | 10±1 | Balance | 10.0 | 5.6 | 150-160 |
| Mo85Cu15 | 15±1 | Balance | 9.93 | 6.8 | 160-180 |
| Mo80Cu20 | 20±1 | Balance | 9.90 | 7.7 | 170-190 |
| Mo70Cu30 | 30±1 | Balance | 9.80 | 8.1 | 180-200 |
| Mo60Cu40 | 30±1 | Balance | 9.66 | 10.3 | 210-250 |
| Mo50Cu50 | 40±1 | Balance | 9.54 | 11.5 | 230-270 |
| Mo40Cu60 | 40±0.2 | Balance | 9.42 | 11.8 | 280-290 |
表面：Ni、NiAu、NiAg、NiCuメッキ、またはメッキ処理無し
純タングステン・モリブデン材料
純タングステンとモリブデンは、熱膨張係数が低いため、高温で容易に変形しません。
純タングステン & モリブデンの成分表 Pure W & Mo properties
| 材質 | 密度 g/㎤ | 熱膨張係数 10⁻⁶/K | 熱伝導率 W/M・K |
| W | 19.3 | 4.67 | 167 |
| Mo | 10.2 | 4.90 | 138 |
AlSiC複合材料
AlSiC（アルミ炭化シリコン）IGBT基板は高速鉄道に欠かせない部品です。
アルミニウム炭化ケイ素の複合材料は、 AlSiCセラミックと金属化合物であり、セラミックと金属のすべての優れた特徴を備えた新しい材料になります。
熱伝導率が低く、熱膨張係数が低く、剛性と光品質が優れているため、理想的なパワーエレクトロニクス基板材料および基板材料です。
電子チップ付きのため、溶接後の良好なマッチングを実現できます。AlSiC基板カプセル化によるIGBT製品は、高速鉄道、地下鉄、新エネルギー車、風力発電、溶接ロボットなど幅広い業界に使用されています。
熱伝導率が低く、熱膨張係数が低く、剛性と光品質が優れているため、理想的なパワーエレクトロニクス基板材料および基板材料です。
電子チップ付きのため、溶接後の良好なマッチングを実現できます。AlSiC基板カプセル化によるIGBT製品は、高速鉄道、地下鉄、新エネルギー車、風力発電、溶接ロボットなど幅広い業界に使用されています。
代表的なAlSiCの成分表 Typical AlSiC properties
| 材質 | 密度 g/㎤ | 熱膨張係数 10⁻⁶/K | 熱伝導率 W/M・K | 曲げ強度 Mpa |
| Al-55％SiC | 2.95 | 9.00 | 200 | >420 |
| Al-60％SiC | 2.97 | 8.30 | 209 | >380 |
| Al-65％SiC | 2.99 | 8.10 | 210 | >320 |
SiAl複合材料
マイクロ波パワーデバイスでは、主に電子パッケージング、統合パワーモジュール、T/Rモジュールなどのパワーエレクトロニクスデバイスに使用されます。
SiAl合金は、電子パッケージ材料のベースとして、シェル、ボックス本体、カバープレートなどとして多く使用されます。熱放散に優れ、カプセル化されたパワーモジュールの寿命を大幅に延ばすことが期待できます。
材料の密度は軽量（2.4-2.7g/㎤）、高い熱伝導率、低い熱膨張係数、高い剛性を持っています。
比較的加工が容易で、表面めっき性能、溶接性能、材料密度、耐熱性、耐食性などに多くの点で優れた材料になります。
SiAl合金は、電子パッケージ材料のベースとして、シェル、ボックス本体、カバープレートなどとして多く使用されます。熱放散に優れ、カプセル化されたパワーモジュールの寿命を大幅に延ばすことが期待できます。
材料の密度は軽量（2.4-2.7g/㎤）、高い熱伝導率、低い熱膨張係数、高い剛性を持っています。
比較的加工が容易で、表面めっき性能、溶接性能、材料密度、耐熱性、耐食性などに多くの点で優れた材料になります。
代表的なSiAlの成分表 Typical SiAl properties
| 材質 | 密度 g/㎤ | 熱膨張係数 10⁻⁶/K | 熱伝導率 W/M・K | 曲げ強度 Mpa |
| 36%SiAl | 2.54 | 13.60 | 150 | >460 |
| 50%SiAl | 2.50 | 11.00 | 128 | >190 |
アルミナ分散銅
アルミナ分散銅は、銅に近い熱伝導率と熱膨張係数を持っていながら、高温強度性能が銅よりも優れています。
代表的なアルミナ分散銅の成分表 Typical Glidcop properties
| 材質 | 伝導率 (IACS%) | 引張強度 (MPa) 室温 | 引張強度 (MPa) 650℃ | 伸び率 (δ%) | 硬度 (HRB) 室温 | 硬度 (HRB) 900℃ｱﾆｰﾙ |
| GM-1 | 90-95 | 350-450 | 270-360 | 10-15 | 55-70 | 55-65 |
| GM-2 | 85-92 | 450-550 | 380-480 | 7-12 | 65-80 | 58-72 |
| GM-3 | 80-88 | 460-580 | 420-530 | 5-10 | 78-85 | 65-75 |
無酸素銅ヒートシンク
代表的な無酸素銅ヒートシンクの成分表 Typical OFC materials properties
| 融点 ℃ | 軟化温度 ℃ | 密度 g/㎤ | 熱膨張係数 10⁻⁶/K | 熱伝導率 W/M・K |
| 1083℃ | 150℃ | 8.93 | 17.7 | 391 |