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セラミック基板

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セラミック基板は、高い絶縁性と優れた放熱性を兼ね備えた回路基材です。パワーエレクトロニクス、半導体パッケージング、光通信、5G通信、高出力LED、半導体製造装置など、幅広い先端分野で採用されています。特に窒化アルミ(AlN)基板は優れた熱伝導性を有し、EV向けパワー半導体や光通信モジュールなど、高い放熱性能が求められる用途で広く使用されています。

セラミック基盤グレード表

項目 テストアイテム 単位 Al2O3 AlN Al2O3/ZrO2 Si3N4
A1296 A1296A A2296 A996 AN-170 AN-200 AN-230 ZTA SN-90
材質 - - 96% 96% 96% 99.6% AlN AlN AlN Al2O3/ZrO2 Si3N4
外観 - - White Dense Light Blue Beige Beige White Dense Grey
表面粗度 Ra μm 0.2~0.6 0.2~0.75 0.2~0.5 0.2~0.75
密度 - g/cm3 ≥3.70 ≥3.60 ≥3.75 ≥3.8 ≥3.3 ≥3.85 ≥3.2
物理的
特性
曲げ強度 3点曲げ抵抗 MPa ≥380 ≥350 ≥400 ≥450 ≥400 ≥350 ≥300 ≥550 ≥750
ビッカース硬度 Load 4.9 GPa ≥14 ≥13 ≥14 ≥14 ≥10 ≥14 ≥14
吸水率 - % 0 0 0 0
熱性能 熱伝導率 25℃ W/(m·K) ≥22 ≥19 ≥24 ≥27 ≥170 ≥200 ≥230 ≥23 ≥85
熱膨張係数 25℃~500℃ x10-6/℃ 6.6~7.5 4~6 6.6~7.5 2~4
耐熱衝撃性 800℃ Time ≥10 ≥10 ≥10 ≥10
比熱 - J/(kg·K) 880 780 720 720 680
電気特性 誘電率 1MHz/25℃ - 9~10 8~9 10~11 7~8
誘電損失 1MHz/25℃ x10-4 ≤3 ≤0.5 ≤3 ≤3 ≤4
体積抵抗率 25℃ Ω·cm >1014 >1014 >1014 >1014
破壊電圧 - kV/mm >12 >15 >17 >15 >15
通光性 反射率 反射率計 - >92% >95% >88% >90% - ≥95% -
白さ 白さ計 - >88 >86 >88 - - - -

仕様・寸法

仕様・寸法

レーザー加工能力

材料 単位 Al2O3 ZTA AlN Si3N4
有効寸法 (A, B) mm 50.8~190 50.8~190 50.8~190 138x190
厚み (T) mm 0.25~1.5 0.25~1.5 0.25~1.0 0.25, 0.32
厚み公差 mm ±5% ( Min±0.03mm )
反り (C) mm ≤0.3%
反り公差 μm 0.2~0.6 0.2~0.5 0.2~0.75 0.2~0.75
レーザー加工
項目 標準 特級
内部寸法公差 ±0.05mm ±0.03mm
外部寸法公差 ±0.15mm ±0.1mm
穴公差 (ϕ0.07-0.15mm) ±0.05mm ±0.02mm
穴公差 (ϕ > 0.15mm) ±0.1mm ±0.02mm
項目 標準許容差 (mm) 特別許容範囲 (mm) 参考図
長さ/幅 ±0.15 ±0.05
穴加工 ±0.05 ±0.03&
穴直径 (ϕ < 0.8mm) ±0.1 ±0.05;
穴直径 (ϕ < 0.8~2.5mm) ±0.1 ±0.08
穴直径 (ϕ > 2.5mm) ±0.15 ±0.13
最小穴直径 - 0.08
穴の端から基板の端
までの距離または
穴間の距離
>厚さ >0.5
最小スロット幅 - 0.08 
最小半径 - 0.5

研削・研磨シート表面粗さ表

レーザー加工
項目 表面粗度 (μm )
標準 特級
研削 0.3~0.6 0.3~0.5
微研磨 0.1~0.4 0.1~0.3
研磨 ≤0.1 ≤0.05

Al2O3(アルミナ)

特徴:
  • 高い耐熱衝撃性
  • 低反り性
  • 耐高温性、優れた耐酸性・耐アルカリ性
応用領域:
  • 厚膜・薄膜チップ抵抗器
  • LED放熱基板
  • エネルギー貯蔵、充電スタンドのスペーサー

小型セラミック外形実装パッケージ (CSOP)

特徴:
  • コンパクトサイズ、翼型リード線により低応力
  • 優れた耐機械衝動性
  • 複数リードピッチ:1.27mm、1.00mm、0.8mmなど
応用領域:
  • 携帯用模索救助証明
  • 自動車・建築用照明
  • 屋外・エンターテインメント用照明
項目 テストアイテム 単位 Al2O3
A1296 A1296A A2296 A996
材質 - - 96% 96% 96% 99.6%
外観 - - White Dense
表面粗度 Ra μm 0.2~0.6
密度 - g/cm3 ≥3.70 ≥3.60 ≥3.75 ≥3.8
物理的
特性
曲げ強度 3点曲げ抵抗 MPa ≥380 ≥350 ≥400 ≥450
ビッカース硬度 Load 4.9 GPa ≥14 ≥13 ≥14 ≥14
吸水率 - % 0
熱性能 熱伝導率 25℃ W/(m·K) ≥22 ≥19 ≥24 ≥27
熱膨張係数 25℃~500℃ 1x10-6
mm/℃
6.6~7.5 6.6~7.5
耐熱衝撃性 800℃ Time ≥10 ≥10
比熱 - J/(kg·K) 880 780
電気特性 誘電率 1MHz/25℃ - 9~10 9~10
誘電損失 1MHz/25℃ x10-4 ≤3 ≤0.5
体積抵抗率 25℃ Ω·cm >1014 >1014
破壊電圧 - KV/mm >12 >15
通光性 反射率 反射率計 - >92% >95% >88% >90%
白さ 白さ計 - >88 >86 >88 -

AlN(窒化アルミ)

特徴:
  • 高い熱伝導率
  • シリコンウエハーに近い熱膨張係数
  • 高い破壊電圧
応用領域:
  • ハイパワーIGBTパワーモジュール
  • ハイパワーLED
  • 高出力放熱スペーサー
項目 テストアイテム 単位 AlN
AN-170 AN-200 AN-230
材質 - - AlN AlN AlN
外観 - - Light Blue Beige Beige
表面粗度 Ra μm 0.2~0.75
密度 - g/cm3 ≥3.3
物理的
特性
曲げ強度 3点曲げ抵抗 MPa ≥400 ≥350 ≥300
ビッカース硬度 Load 4.9 GPa ≥10
吸水率 - % -
熱性能 熱伝導率 25℃ W/(m·k) ≥170 ≥200 ≥230
熱膨張係数 25℃~500℃ 1x10-6
mm/℃
4~6
耐熱衝撃性 800℃ Time ≥10
比熱 - J/(kg·K) 720
電気特性 誘電率 1MHz/25℃ - 8~9
誘電損失 1MHz/25℃ x10-4 ≤3
体積抵抗率 25℃ Ω·cm >1014
破壊電圧 - KV/mm >17
通光性 反射率 反射率計 - -
白さ 白さ計 - -

ZTA(ジルコニア)

特徴:
  • 高強度
  • 高反射率
  • 高い耐熱衝撃性
応用領域:
  • 中出力電源モジュール
  • 中出力LED
  • 計器類
項目 テストアイテム 単位 Al2O3 /ZrO2
ZTA
材質 - - Al2O3/ZrO2
外観 - - White Dense
表面粗度 Ra μm 0.2~0.5
密度 - g/cm3 ≥3.85
物理的
特性
曲げ強度 3点曲げ抵抗 MPa ≥550
ビッカース硬度 Load 4.9 GPa ≥14
吸水率 - % 0
熱性能 熱伝導率 25℃ W/(m·k) ≥23
熱膨張係数 25℃~500℃ 1x10-6
mm/℃
6.6~7.5
耐熱衝撃性 800℃ Time ≥10
比熱 - J/(kg·K) 720
電気特性 誘電率 1MHz/25℃ - 10~11
誘電損失 1MHz/25℃ x10-4 ≤3
体積抵抗率 25℃ Ω·cm >1014
破壊電圧 - KV/mm >15
通光性 反射率 反射率計 - ≥95%
白さ 白さ計 - -

Si3N4(窒化ケイ素)

特徴:
  • 高い熱伝導率
  • シリコンウエハーに近い熱膨張係数
  • 高強度・高靭性
応用領域:
  • ハイパワーIGBTパワーモジュール
  • 高出力放熱スペーサー
  • 無線モジュール
項目 テストアイテム 単位 Si3N4
SN-90
材質 - - Si3N4
外観 - - Grey
表面粗度 Ra μm 0.2~0.75
密度 - g/cm3 ≥3.2
物理的
特性
曲げ強度 3点曲げ抵抗 MPa ≥750
ビッカース硬度 Load 4.9 GPa ≥14
吸水率 - % 0
熱性能 熱伝導率 25℃ W/(m·k) ≥85
熱膨張係数 25℃~500℃ 1x10-6
mm/℃
2~4
耐熱衝撃性 800℃ Time ≥10
比熱 - J/(kg·K) 680
電気特性 誘電率 1MHz/25℃ - 7~8
誘電損失 1MHz/25℃ x10-4 ≤4
体積抵抗率 25℃ Ω·cm >1014
破壊電圧 - KV/mm >15
通光性 反射率 反射率計 - -
白さ 白さ計 - -
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